商品名稱:頻率合成器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:VFQFN-56
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
844S2416CKILF是一款17路輸出、雙通道PLL頻率合成器,針對(duì)以太網(wǎng)、USB和其它接口產(chǎn)生各種時(shí)鐘進(jìn)行了優(yōu)化。使用25MHz 18pF并聯(lián)諧振晶體,該器件將產(chǎn)生混合HCSL和LVCMOS/LVTTL電平的24MHz、25MHz、100MHz和200MHz時(shí)鐘。844S2416CKILF采用56引腳VFQFN封裝,最適合空間有限的應(yīng)用。
主要特點(diǎn)
兩個(gè)LVCMOS/LVTTL單端輸出,24MHz
12路LVCMOS/LVTTL單端輸出,25MHz
100MHz的兩個(gè)差分HCSL輸出對(duì)
一個(gè)100MHz或200MHz的差分HCSL輸出對(duì)
晶體振蕩器接口:25MHz
PLL 1–VCO:2.4 GHz
pl L2–VCO范圍:1.8GHz至2.2GHz
10%頻率余量,步進(jìn)為1.25%
可選擴(kuò)頻–向下擴(kuò)展-0.5%
I C控制接口,帶地址配置引腳,釋放低電平有效復(fù)位時(shí)默認(rèn)加載
3.3V電源電壓
-40°C至85°C環(huán)境工作溫度
提供無鉛(RoHS 6)封裝
應(yīng)用領(lǐng)域
844S2416CKILF通過I2C接口配置,支持頻率步進(jìn)調(diào)節(jié)和Spread Spectrum功能,適用于通信、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場(chǎng)份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢(mèng)想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識(shí),配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H050G4WS
TP65H050G4WS是 Renesas公司推出的 SuperGaN 系列 氮化鎵 (GaN)FET,采用通孔N通道結(jié)構(gòu),適用于高功率場(chǎng)景。該器件將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。基礎(chǔ)參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 …TP65H050G4BS
TP65H050G4BS 650V 50mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。 它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。TP65H050G4BS 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 TO-263 ( D2PAK )封裝,典型導(dǎo)通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS通過…TP65H050G4YS
TP65H050G4YS是一款650V SuperGaN FET,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為50mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計(jì)。具體參數(shù)如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):35A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10…TP65H150BG4JSG
TP65H150BG4JSG 是 Renesas公司生產(chǎn)的一款650V SuperGaN GaN FET,采用 PQFN56封裝 ,具備低導(dǎo)通電阻(150mΩ)和動(dòng)態(tài)RDS(on)特性。TP65H150BG4JSG基于 Gen IV技術(shù)平臺(tái) ,結(jié)合高壓GaN HEMT 與 低壓硅MOSFET ,具備高效率、低交越損耗和低反向恢復(fù)電荷(QRR)等優(yōu)勢(shì)。技術(shù)…TP65H480G4JSG
TP65H480G4JSG 650V 480mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。 它結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。具體參數(shù)如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連…TP65H300G4LSG
TP65H300G4LSG 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。 它結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。該TP65H300G4LSG 晶體管采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 PQFN-8x8 封裝,具有通用的源封裝配置。主要規(guī)格FET 類型…電話咨詢:86-755-83294757
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