商品名稱:頻率合成器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:40-VFQFPN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
8T49N242-036NLGI8是(Renesas)推出的通用頻率轉(zhuǎn)換器,支持頻率轉(zhuǎn)換、抖動(dòng)衰減等功能,適用于同步以太網(wǎng)線卡、 SONET/SDH設(shè)備等場(chǎng)景。
8T49N242-036NLGI8具有一個(gè)小數(shù)反饋PLL,可用作具有抖動(dòng)衰減功能的頻率轉(zhuǎn)換器或頻率合成器。8T49N242-034NLGI8配有四個(gè)整數(shù)輸出分頻器,可以產(chǎn)生多達(dá)四種不同的輸出頻率,范圍從8kHz到1GHz。輸出頻率可以完全獨(dú)立于輸入頻率。四路輸出可以在LVPECL、LVDS、HCSL或LVCMOS輸出電平中選擇。
功能特點(diǎn)
8T49N242-036NLGI8與同步設(shè)備定時(shí)源(SETS)設(shè)備配對(duì)時(shí),符合Telcordia GR-253-CORE (SONET)和ITU-T g . 813/g . 8262(SDH/SONET & SyncE)中概述的要求
產(chǎn)生多達(dá)4個(gè)LVPECL/LVDS/HCSL或16個(gè)LVCMOS輸出時(shí)鐘,頻率范圍為8kHz至1.0GHz(不同于),8kHz至250MHz (LVCMOS),滿足10G至25G以太網(wǎng)應(yīng)用的抖動(dòng)限制
0.276ps RMS(包括雜散),12kHz至20MHz
最多可接受兩個(gè)LVPECL、LVDS、LVHSTL、HCSL或LVCMOS輸入時(shí)鐘,頻率范圍為8kHz至875MHz
自動(dòng)和手動(dòng)輸入時(shí)鐘選擇,無中斷切換
時(shí)鐘輸入監(jiān)控,包括對(duì)間斷時(shí)鐘的支持
控制輸出相位瞬變的相位斜率限制和全無損開關(guān)選項(xiàng)
工作頻率為10MHz至50MHz的基模晶體
寄存器可通過I2C或外部I2C EEPROM編程
應(yīng)用領(lǐng)域
OTN 或 SONET / SDH 設(shè)備
千兆位和太位 IP 交換機(jī)/路由器,包括同步以太網(wǎng)
視頻廣播
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場(chǎng)份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢(mèng)想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識(shí),配合全球二萬(wàn)七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺(tái),結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺(tái)技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計(jì)。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡(jiǎn)化了組裝過程。它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場(chǎng)景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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