商品名稱:頻率合成器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:72-VFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
8T49N286A-016NLGI是(RENESAS)推出的鎖相環(huán)(PLL)芯片,采用 VFQFN 封裝,主要應用于頻率轉換和時鐘管理領域。以下是關鍵特性:
在保持模式下支持GR.1244 Stratum 3穩(wěn)定性
與同步設備定時源(SETS)設備配對時,符合Telcordia GR-253-CORE (SONET)和ITU-T G.813/G.8262 (SDH/SONET和SyncE)中概述的要求
產生8個LVPECL/LVDS/HCSL或16個LVCMOS輸出時鐘,范圍為8kHz至1.0GHz(差分)、8kHz至250MHz (LVCMOS),滿足10G至100G以太網和STM-256/OC-768應用的抖動限制
0.3皮秒均方根值(包括雜散),12kHz至20MHz
最多可接受4個LVPECL、LVDS、LVHSTL、HCSL或LVCMOS輸入時鐘,頻率范圍為8kHz至875MHz
自動和手動輸入時鐘選擇,無中斷切換
時鐘輸入監(jiān)控,包括對間斷時鐘的支持
控制輸出相位瞬變的相位斜率限制和全無損開關選項
工作頻率為10MHz至40MHz基模晶體
寄存器可通過I2C/SPI或外部I2C EEPROM編程
8T49N286A-016NLGI具有一個小數(shù)反饋PLL,可用作具有抖動衰減功能的頻率轉換器或頻率合成器。它配有六個整數(shù)輸出分頻器和兩個小數(shù)輸出分頻器,可以產生多達八種不同的輸出頻率,范圍從8kHz到1GHz。輸出頻率可以完全獨立于輸入頻率,并且其中多達四個頻率可以彼此完全獨立。八路輸出可以在LVPECL、LVDS、HCSL或LVCMOS輸出電平中選擇。
典型應用
? OTN 或 SONET/SDH 設備線卡(高達 OC-192,并支持 FEC 比率)
? OTN 解映射(間隙時鐘和 DCO 模式)
? 千兆位和太位 IP 交換機/路由器,包括支持同步以太網
? SyncE (G.8262) 應用程序
? 無線基站基帶
? 數(shù)據(jù)通信
? 100G 以太網
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術平臺,結合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產品屬性FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅動…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場效應晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺技術,具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅動電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設計。TP65H035G4YS器件結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構建的常閉器件。使用專有技術,從而降低了內部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產。該器件具有低導通電阻和優(yōu)異開關性能,適用于高效率電源轉換場景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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