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TP65H050G4BS 650V 50mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。 它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合，以提供卓越的可靠性和性能。

TP65H050G4BS 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 TO-263 （ D2PAK ）封裝，典型導(dǎo)通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS通過 JEDEC 認(rèn)證，適用于高功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)（數(shù)千瓦至幾千瓦），支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用。

技術(shù)規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：34A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 22A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：119W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263

典型應(yīng)用

數(shù)據(jù)通信

博大實(shí)業(yè)

光伏逆變器

伺服電機(jī)

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

• 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎？

  答：目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。

• 4.我可以通過公司網(wǎng)站進(jìn)行詢價(jià)嗎？

  答：可以通過網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

• 5.下單后什么時(shí)候能發(fā)貨？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。