商品名稱:PLL,頻率合成器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:72-VFQFPN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
8A34042E-000NLG是(Renesas)推出的多通道數(shù)字PLL/數(shù)控振蕩器(DPLL/DCO)為同步以太網(wǎng)(SyncE)、光傳輸網(wǎng)絡(luò)(OTN)和公共無線電接口(CPRI)等常見通信協(xié)議提供管理時序參考、時鐘轉(zhuǎn)換和時序路徑的工具。8A34042E-000NLG可用于同步線路卡或子卡上的通信端口,這些端口通過背板或其它介質(zhì)與同步源相連。數(shù)控振蕩器(dco)可由運(yùn)行在外部處理器上的OTN時鐘恢復(fù)伺服軟件控制。數(shù)字PLL(DPLL)支持對OTN的間隙時鐘進(jìn)行濾波,以及在冗余時鐘源的參考之間進(jìn)行無中斷參考切換。
8A34042E-000NLG還支持多個獨(dú)立的時序通道來產(chǎn)生時鐘;抖動衰減和通用頻率轉(zhuǎn)換。輸入至輸入、輸入至輸出和輸出至輸出相位偏斜都可以精確管理。該器件輸出超低抖動時鐘,可直接同步運(yùn)行速率高達(dá)28Gbps的SerDes以及CPRI/OBSAI、SONET/SDH和PDH接口。
8A34042E-000NLG的關(guān)鍵參數(shù)包括:
類型:頻率轉(zhuǎn)換器
PLL:是
輸入:時鐘
輸出:CML,HCSL,HSTL,LVCMOS,LVDS,LVPECL,SSTL
電路數(shù):4
比率 - 輸入:輸出:7:8
差分 - 輸入:輸出:是/是
頻率 - 最大值:1GHz
分頻器/倍頻器:是/無
電壓 - 供電:1.71V ~ 3.465V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:72-VFQFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺,結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計(jì)。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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