深圳市明佳達電子有限公司供應英飛凌功率晶體管_IPA80R1K4P7_N溝道_800V CoolMOS? P7 功率MOSFET_效率與熱性能的新標桿產(chǎn)品概述IPA80R1K4P7 是 英飛凌推出的 800V CoolMOS? P7 系列超結(jié)MOSFET，采用 TO-220-3 封裝，專為 低功率開關電源（SMPS） 應用優(yōu)化設計。該器件基…
深圳市明佳達電子有限公司供應英飛凌功率晶體管_IPA80R1K4P7_N溝道_800V CoolMOS? P7 功率MOSFET_效率與熱性能的新標桿
產(chǎn)品概述
IPA80R1K4P7 是 英飛凌推出的 800V CoolMOS? P7 系列超結(jié)MOSFET，采用 TO-220-3 封裝，專為 低功率開關電源（SMPS） 應用優(yōu)化設計。該器件基于 超級結(jié)技術，具有 低導通電阻、高開關效率 和 優(yōu)異的熱性能，可顯著提升系統(tǒng)能效和功率密度。
IPA80R1K4P7 主要適用于反激式拓撲結(jié)構，廣泛應用于適配器、充電器、LED驅(qū)動器、音頻SMPS、工業(yè)電源及輔助電源 等領域。
核心特性
業(yè)界領先的 FOM，降低開關損耗，提升效率
低導通電阻（1.4Ω @ 10V），減少功率損耗
3V 柵極閾值電壓，最小變化僅 ±0.5V，易于驅(qū)動
集成齊納二極管 ESD 保護（符合 HBM 2 級標準），提高抗靜電能力
優(yōu)化的開關性能，降低 Qg、，減少開關損耗
工業(yè)級可靠性，符合 JEDEC 標準，適用于嚴苛環(huán)境
性能優(yōu)勢
相比前代 CoolMOS? C3，效率提升 0.6%，MOSFET 溫度降低 2°C~8°C
支持更高功率密度設計，減少 BOM 成本和組裝成本
易于驅(qū)動和并聯(lián)，簡化電路設計
減少 ESD 相關故障，提高生產(chǎn)良率
IPA80R1K4P7參數(shù)：
ID 最大值：4 A
ID（@25°C）最大值：4 A
IDpuls 最大值：8.9 A
安裝方式：THT
工作溫度：-55 °C 至 150 °C
封裝：TO220 FullPAK
引腳數(shù)：3 引腳
極性：N
Ptot 最大值：24 W
Qgd：5 nC
QG：10 nC
QG（典型值 @10V）：10 nC
RDS（導通）最大值：1400 mΩ
RDS（導通）（@10V）最大值：1400 mΩ
RthJA 最大值：80 K/W
RthJC 最大值：5.1 K/W
Rth：5.1 K/W
特殊功能：性價比
VDS 最大值：800 V
VGS(th)：3 V
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