2025年7月28日，全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術(shù)的 512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計劃于 2025 年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中…
2025年7月28日，全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術(shù)的 512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計劃于 2025 年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升 AI 系統(tǒng) GPU 性能的應(yīng)用。
為應(yīng)對尖端應(yīng)用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行”策略，即：
第九代 BiCS FLASH? 產(chǎn)品： 采用 CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術(shù)（2），將現(xiàn)有的存儲單元技術(shù)（3）與最新的 CMOS 技術(shù)相結(jié)合，在降低生產(chǎn)成本的同時實現(xiàn)卓越性能。
第十代 BiCS FLASH? 產(chǎn)品：通過增加存儲單元的堆疊層數(shù)，滿足未來市場對更大容量、更高性能解決方案的需求。
全新的第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 基于第五代 BiCS FLASH? 技術(shù)的 120 層堆疊工藝與先進(jìn)的 CMOS 技術(shù)開發(fā)而成。與鎧俠現(xiàn)有的相同容量（512Gb）的 BiCS FLASH? 產(chǎn)品（4）相比，其性能實現(xiàn)了顯著提升，包括：
寫入性能：提升 61%
讀取性能：提升 12%
能效：寫入操作能效提升 36%，讀取操作能效提升 27%
數(shù)據(jù)傳輸速度：支持 Toggle DDR6.0 接口，可實現(xiàn)高達(dá) 3.6Gb/s 的 NAND 接口傳輸速率
位密度：通過先進(jìn)的橫向縮放技術(shù)提升 8% 位密度
此外，鎧俠確認(rèn)，在演示條件下，該 512Gb TLC 的 NAND 接口速度可達(dá) 4.8Gb/s。其產(chǎn)品線將根據(jù)市場需求確定。
鎧俠始終致力于深化全球合作伙伴關(guān)系，并持續(xù)推動技術(shù)創(chuàng)新，為客戶提供滿足其多樣化需求的最佳存儲解決方案。
（1）這些樣品僅用于功能檢測，樣品規(guī)格可能因量產(chǎn)部件而異。
（2）CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術(shù)是指CMOS晶圓和單元儲存陣列晶圓都在更優(yōu)的條件下單獨制造然后鍵合在一起的技術(shù)。
（3）112 層堆疊的第五代 BiCS FLASH? 技術(shù)和 218 層堆疊的第八代 BiCS FLASH? 技術(shù)。新的第九代 BiCS FLASH? 產(chǎn)品將根據(jù)型號分別整合這兩種技術(shù)之一。
（4）第六代 BiCS FLASH?，將沿用此款 512Gb TLC 產(chǎn)品。
（5）1Gbps按1,000,000,000 bits/s計算。該數(shù)值是在鎧俠株式會社的特定測試環(huán)境中獲得，可能會因用戶環(huán)境的不同而改變。
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