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IXYA20N120B4HV 1200V XPT? GenX4? IGBT采用專有的XPT薄晶圓技術(shù)和最先進的第四代 (GenX4?) 溝槽型IGBT工藝研發(fā)而成。該絕緣柵極雙極晶體管具有低熱阻、低能耗、快速開關(guān)、低拖尾電流和高電流密度等特性。該器件在開關(guān)和短路條件下具有出色的耐用性。

器件規(guī)格：

IGBT 類型：PT

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：76 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：130 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A

功率 - 最大值：375 W

開關(guān)能量：3.9mJ（開），1.6mJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：44 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：15ns/200ns

測試條件：960mV，20A，10 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：47 ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

供應商器件封裝：TO-263HV

基本產(chǎn)品編號：IXYA20

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