商品名稱(chēng):IGBT 單管
品牌:IXYS
年份:25+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開(kāi)發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:
IGBT 類(lèi)型:溝道
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):112 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):240 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,32A
功率 - 最大值:600 W
開(kāi)關(guān)能量:5.9mJ(導(dǎo)通),2.9mJ(關(guān)斷)
輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:94 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:19ns/220ns
測(cè)試條件:960V,32A,5 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):430 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
此外,該款I(lǐng)XYH40N120B4H1溝槽式XPT晶體管非常適合用于功率逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率因數(shù)校正 (PFC) 電路和電池充電器應(yīng)用。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車(chē)、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達(dá)150 kHz的開(kāi)關(guān)能力,電流范圍為66A。高開(kāi)關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計(jì)人員提供了一種新的高價(jià)值開(kāi)關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類(lèi)型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類(lèi)型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開(kāi)發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗。其特點(diǎn)和技術(shù)規(guī)格如下:特點(diǎn)經(jīng)過(guò)優(yōu)化用于低開(kāi)關(guān)損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動(dòng)要求低反向并聯(lián)sonic二…IXYN180N65A5
IXYN180N65A5模塊具有650V額定電壓、180A電流范圍以及低柵極電荷。該產(chǎn)品優(yōu)化用于需要0至5kHz開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用,具有以下主要規(guī)格:IGBT 類(lèi)型:-配置:?jiǎn)温冯妷?- 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):340 A功率 - 最大值:940 W不同 Vge、Ic 時(shí) Vce…IXYK220N65A5
IXYK220N65A5是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極晶體管),屬于Gen5 XPT?系列產(chǎn)品?。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):510 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):1.18 kA不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值)…IXA37IF1200HJ
IXA37IF1200HJ器件采用先進(jìn)的GenX3 IGBT工藝和極輕穿通(XPT)設(shè)計(jì)平臺(tái)制造,具有高電流處理能力、高速開(kāi)關(guān)能力、低總能量損耗和低電流下降時(shí)間。該款I(lǐng)GBT器件具有正的集電極-發(fā)射極電壓溫度系數(shù),使得設(shè)計(jì)人員可以并聯(lián)使用多個(gè)器件來(lái)滿(mǎn)足高電流要求。其優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格如下…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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