商品名稱：SiC MOSFET 模塊
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：SOT-227-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。
規(guī)格
類型： HiperFET HiperFET
技術： SiC 碳化硅
Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V
安裝方式：螺釘安裝 螺釘安裝
封裝/外殼：SOT-227-4
最低工作溫度：- 55 C
最高工作溫度 + 155 C
配置 單通道
下降時間：19 ns
Id - 持續(xù)漏極電流：47 A
通道數(shù) 1 通道
Rds On - 漏極-源極電阻： 50 mOhms
上升時間：9 毫微秒
晶體管極性 N 溝道
典型關斷延遲時間：75 ns
典型導通延遲時間：23 ns
Vds - 漏極-源極擊穿電壓：1.2 kV
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：2 V
單位重量：59.703 克
特點
高速開關，低電容
阻斷電壓高，RDS（導通）低
易于并聯(lián)，驅動簡單
雪崩堅固耐用
抗閂鎖
應用
太陽能逆變器
高壓 DC/DC 轉換器
電機驅動器
開關模式電源
不間斷電源
電池充電器
感應加熱
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域，產品技術特點為高壓、高功率，涵蓋了…
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DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器，采用 TO-247-2（TO-247AD） 封裝，適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機驅動等應用。
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IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。該產品具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：溝道電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：112 A電…電話咨詢：86-755-83294757
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