商品名稱:GCMX080B120S1-E1
品牌:SemiQ
年份:24+
封裝:SOT-227-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
SemiQ SiC MOSFET 模塊在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能,從而簡(jiǎn)化了電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì)。SiC MOSFET 模塊工作時(shí)開(kāi)關(guān)損耗為零,可顯著提高效率并減少散熱,從而實(shí)現(xiàn)更小的散熱器。
GCMX080B120S1-E1產(chǎn)品屬性:
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 30A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 100 毫歐 @ 20A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4V @ 10mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 58 nC @ 20 V
Vgs(最大值): +25V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 1336 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值): 142W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 底座安裝
供應(yīng)商器件封裝: SOT-227
封裝/外殼: SOT-227-4,miniBLOC
應(yīng)用
光伏逆變器
電池充電器
服務(wù)器電源
儲(chǔ)能系統(tǒng)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SemiQ 設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的專業(yè)知識(shí),其中包括子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和半定制模塊。SemiQ 服務(wù)于以下終端市場(chǎng):電動(dòng)汽車充電器和充電站、功率…
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR
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GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開(kāi)關(guān)損耗、低結(jié)殼熱阻以及非常堅(jiān)固和易于安裝的特點(diǎn)。該模塊在175C結(jié)溫下工作,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。規(guī)格技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功…GCMX010A120B3B1P
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GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:4 N 溝道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX020A120B2B1P
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