商品名稱:GCMX005A120S7B1
品牌:SemiQ
年份:24+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開關(guān)損耗、低結(jié)殼熱阻以及非常堅(jiān)固和易于安裝的特點(diǎn)。該模塊在175°C結(jié)溫下工作,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。
規(guī)格
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:2 個 N 通道(半橋)
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss):1200V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):348A (Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):7mOhm @ 200A, 20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 80mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):978nC @ 20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):29300pF @ 800V
功率 - 最大值:1.042kW(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等級:-
資質(zhì):-
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動全選項(xiàng)混合動力驅(qū)動 mSiC? MOSFET 模塊
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SemiQ 設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的專業(yè)知識,其中包括子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和半定制模塊。SemiQ 服務(wù)于以下終端市場:電動汽車充電器和充電站、功率…
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR
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SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,其中包括GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFET半橋模塊。這些新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。規(guī)格技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET …電話咨詢:86-755-83294757
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