商品名稱:NTTFD021N08C
數(shù)據(jù)手冊:NTTFD021N08C.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:12-WQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:10 件
NTTFD021N08C采用雙封裝,包含兩個專用 N 溝道 MOSFET。開關(guān)節(jié)點(diǎn)采用內(nèi)部連接,以便于同步降壓轉(zhuǎn)換器的安置和路由。同步降壓轉(zhuǎn)換器的安置和布線??刂?MOSFET(Q2)和同步 MOSFET(Q1)的設(shè)計(jì)旨在提供最佳的功率效率。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
配置:2 N-通道(雙)
漏源電壓(Vdss):80V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):6A(Ta),24A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):21 毫歐 @ 7.8A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 44μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):8.4nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):572pF @ 40V
功率 - 最大值:1.7W(Ta),26W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:12-PowerWQFN
供應(yīng)商器件封裝:12-WQFN(3.3x3.3)
應(yīng)用
● 計(jì)算
● 通信
● 通用負(fù)載點(diǎn)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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NCP13992ABDR2G
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AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…電話咨詢:86-755-83294757
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