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MSCSM120HRM311AG 器件是一款 T 型碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模塊，具有相腳1200V、89A 和雙共源 700V、124A。SiC 功率 MOSFET，低 RDS（導通），高溫性能，開爾文源，易于驅(qū)動。雜散電感低，高效率轉(zhuǎn)換器，高頻工作時性能卓越，穩(wěn)定的溫度特性。可直接安裝到散熱片上（隔離封裝），結(jié)殼熱阻低，符合 RoHS 規(guī)范。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：碳化硅（SiC）

配置：4 個 N 通道（三級反相器）

FET 功能：碳化硅（SiC）

漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV），700V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：89A（Tc），124A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：31 毫歐 @ 40A，20V，19 毫歐 @ 40A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 3mA，2.4V @ 4mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：232nC @ 20V，215nC @ 20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020pF @ 1000V，4500pF @ 700V

功率 - 最大值：395W（Tc），365W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

應用

●太陽能逆變器

●三電平逆變器

●不間斷電源

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