商品名稱：NXV08H350XT1
數(shù)據(jù)手冊：
NXV08H350XT1.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：17-PowerDIP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NXV08H350XT1是一款雙半橋80V汽車功率MOSFET模塊，具有溫度檢測和最低熱阻，適合48V輕度混合動力汽車應用。
規(guī)格
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 功能：-
漏源電壓（Vdss）：80V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.762 毫歐 @ 160A，12V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.6V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：320nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：24350pF @ 40V
功率 - 最大值：-
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）
等級：汽車級
資質：AEC-Q101
安裝類型：通孔
封裝/外殼：17-PowerDIP 模塊（1.390"，35.30mm）
供應商器件封裝：APM17-MDC
基本產(chǎn)品編號：NXV08
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NCP13992ABDR2G
NCP13992ABDR2G 是一款用于半橋諧振轉換器的高性能電流模式控制器。
NCV5661MN12T2G
NCV5661MN12T2G是一款高性能低漏 (LDO) 線性穩(wěn)壓器，適用于需要最高 1.0 A 電流的大功率應用。
NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運算放大器的輸入和輸出均可實現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅動至超出電源軌 200mV 的高電平，而輸出不會發(fā)生相位反轉，輸出可在每個軌 50 mV 范圍內擺動。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設計工作電壓非常低（+/- 0.9 V），但可…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能，具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗，優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數(shù)AFGH4L25T120RW的…電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
