商品名稱：CAB320M17XM3
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
CAB320M17XM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
Wolfspeed CAB320M17XM3半橋模塊具有采用第三代MOSFET技術(shù)的大功率密度占位，對(duì)開(kāi)關(guān)損耗或傳導(dǎo)損耗進(jìn)行了優(yōu)化。Wolfspeed’的XM3功率模塊平臺(tái)可最大限度地發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，同時(shí)使模塊和系統(tǒng)設(shè)計(jì)保持穩(wěn)健、簡(jiǎn)單和經(jīng)濟(jì)高效。
技術(shù)特點(diǎn)
高功率密度足跡
高結(jié)溫 (175 °C) 工作
低電感（6.7 nH）設(shè)計(jì)
采用 Wolfspeed 的第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
氮化硅絕緣體和銅基板
1700 V 漏極-源極電壓
跨引腳柵極-源極信號(hào)引腳布局
應(yīng)用
能源
醫(yī)療
電機(jī)和運(yùn)動(dòng)控制
測(cè)試和生產(chǎn)設(shè)備
交通運(yùn)輸
牽引變流器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來(lái)提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開(kāi)關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動(dòng)汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓，低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復(fù) (Qrr)無(wú)鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點(diǎn)更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…
C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝，具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復(fù) (Qrr)無(wú)鹵素，符合…
C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點(diǎn)第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān)，低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無(wú)鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點(diǎn)降低開(kāi)關(guān)損耗，最大限度地減少柵極振鈴…
E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝，具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān)，低電容本征二極管速度快，反向恢復(fù) (Qrr) 低無(wú)鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過(guò)汽車認(rèn)證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝，具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān)，低電容本征二極管速度快，反向恢復(fù) (Qrr) 低無(wú)鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過(guò)汽車認(rèn)證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級(jí) HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用，如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時(shí)電流 -…電話咨詢：86-755-83294757
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