商品名稱：NXH010P90MNF1PTG
數(shù)據(jù)手冊：
NXH010P90MNF1PTG.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NXH010P90MNF1PTG SiC模塊在F1模塊中包含一個10mΩ 900V SiC MOSFET半橋和一個NTC 熱敏電阻。該模塊的推薦柵極電壓為15V至18V。在更高電壓下具有改進的RDS(ON)，熱阻低。
產(chǎn)品屬性
技術：碳化硅（SiC）
配置：2 N 溝道（雙）共源
漏源電壓（Vdss）：900V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：154A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：14 毫歐 @ 100A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 40mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：546.4nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7007pF @ 450V
功率 - 最大值：328W（Tj）
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
應用
● 太陽能逆變器
● 不間斷電源
● 電動汽車充電站
● 工業(yè)電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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