商品名稱:BUK7Y2R0-40HX
數(shù)據(jù)手冊:BUK7Y2R0-40HX.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK56
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BUK7Y2R0-40HX N通道40V Trench 9 MOSFET將低壓超級結(jié)技術(shù)與先進的封裝設(shè)計相結(jié)合,以實現(xiàn)高性能和耐用性。該器件具有較高的功率密度和效率,以及出色的單觸發(fā)或重復性雪崩性能。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):120A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):2 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):90.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值):+20V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5450 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):217W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8
封裝/外殼:SC-100,SOT-669
基本產(chǎn)品編號:BUK7Y2
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
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GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
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