商品名稱:汽車 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:35000 件
英飛凌IPG20N04S4L-11是一款 雙N溝道邏輯電平增強(qiáng)型功率MOSFET,屬于 OptiMOS? T2 系列,采用 PG-TDSON-8-4 封裝。該器件具有 超低導(dǎo)通電阻(R<sub>DS(on)</sub> = 10.1mΩ) 和 高電流承載能力(20A),適用于汽車電子、工業(yè)控制、輕負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。
IPG20N04S4L-11產(chǎn)品特性
雙N溝道MOSFET:支持邏輯電平增強(qiáng)模式,提供卓越的導(dǎo)通性能。
低導(dǎo)通電阻:最大導(dǎo)通電阻為11.6mΩ,確保高效功率傳輸。
高電流承載能力:支持最大20A的連續(xù)漏極電流。
耐壓值:漏源電壓(Vdss)為40V,適用于多種電源管理應(yīng)用。
封裝形式:采用PG-TDSON-8-4封裝,具有良好的熱性能和電氣性能。
環(huán)保合規(guī):符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),支持無鉛工藝。
工作溫度范圍:-55℃至+175℃,適用于惡劣環(huán)境。
IPG20N04S4L-11關(guān)鍵參數(shù)
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):11.6mΩ @ 10V, 17A
耗散功率(Pd):41W
閾值電壓(Vgs(th)):2.2V
柵極電荷量(Qg):26nC @ 10V
輸入電容(Ciss):1.99nF @ 25V
反向傳輸電容(Crss):30pF @ 25V
IPG20N04S4L-11潛在應(yīng)用
小型負(fù)載控制開關(guān)
車身應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
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