深圳市明佳達電子有限公司【收購】英飛凌具有極高的效率和可靠性的 GS-065-030-6-LR-MR CoolGaN?晶體管700 V G4描述：英飛凌700V CoolGaN?功率晶體管是增強模式硅基氮化鎵功率晶體管，具有大電流、高電壓擊穿和高開關頻率特性。該GaN系統(tǒng)創(chuàng)新采用行業(yè)領先的技術，如獲得…
深圳市明佳達電子有限公司【收購】英飛凌具有極高的效率和可靠性的 GS-065-030-6-LR-MR CoolGaN?晶體管700 V G4
描述：
英飛凌700V CoolGaN?功率晶體管是增強模式硅基氮化鎵功率晶體管，具有大電流、高電壓擊穿和高開關頻率特性。該GaN系統(tǒng)創(chuàng)新采用行業(yè)領先的技術，如獲得專利的Island Technology? 單元布局，實現了大電流裸芯和高產量。這些700V CoolGaN功率晶體管可在電源開關中實現超高功率密度設計和高系統(tǒng)效率。GS-065功率晶體管采用底部冷卻PDFN封裝。
產品屬性：
FET 類型： N 通道
技術： GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）： 700 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 54 毫歐 @ 5.5A，6V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.6V @ 7.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC @ 6 V
Vgs（最大值）： +7V，-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 235 pF @ 400 V
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應商器件封裝： 8-PDFN（8x8）
封裝/外殼： 8-VDFN 裸露焊盤
該功率晶體管具有非常低的結殼熱阻，因此非常適合用于要求苛刻的大功率應用。其中一些應用包括數據中心和計算解決方案、電源適配器、LED照明驅動器、開關模式電源 (SMPS)、無線電源傳輸和電機驅動器。
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