7 月 16 日消息,《韓國經(jīng)濟(jì)新聞》(hankyung) 昨日報(bào)道稱,三星電子已決定在下代 HBM 內(nèi)存 —— HBM4 中采用自家 4nm 工藝打造邏輯芯片。層層堆疊的 DRAM Die 內(nèi)存芯片為 HBM 內(nèi)存提供容量;而 Logic Die 則是 DRAM 堆棧的控制單元,還負(fù)責(zé)通過互連層與處理器上的內(nèi)存接口…
7 月 16 日消息,《韓國經(jīng)濟(jì)新聞》(hankyung) 昨日報(bào)道稱,三星電子已決定在下代 HBM 內(nèi)存 —— HBM4 中采用自家 4nm 工藝打造邏輯芯片。
層層堆疊的 DRAM Die 內(nèi)存芯片為 HBM 內(nèi)存提供容量;而 Logic Die 則是 DRAM 堆棧的控制單元,還負(fù)責(zé)通過互連層與處理器上的內(nèi)存接口通信,也是 HBM 內(nèi)存的重要組成部分。
傳統(tǒng)上,存儲廠商通常自行采用存儲半導(dǎo)體工藝生產(chǎn) HBM 內(nèi)存的 Logic Die,流程更為簡便。但來到 HBM4 世代后,Logic Die 需要支持更多的信號引腳、更大的數(shù)據(jù)帶寬,甚至還要承載部分客戶定制功能。
因此存儲廠商轉(zhuǎn)而選擇與邏輯晶圓廠合作,用邏輯半導(dǎo)體工藝生產(chǎn) HBM4 用 Logic Die。
此前就有消息傳出,臺積電將采用 7nm 工藝為 SK 海力士代工 HBM4 的基礎(chǔ)裸片。
三星電子存儲部門此番采用自家 4nm 工藝打造邏輯芯片,一方面可提高 HBM4 內(nèi)存綜合能效,提升產(chǎn)品競爭力;另一方面,更為精細(xì)的 4nm 工藝也為各種定制功能的導(dǎo)入留出了更多空間。
不僅如此,此舉也可為兄弟單位 LSI 部門提供一份規(guī)模不小的訂單。
對于三星電子存儲部門來說,在產(chǎn)品中導(dǎo)入 LSI 部門的先進(jìn)工藝并非沒有先例:其面向 OEM 端的消費(fèi)級固態(tài)硬盤 PM9C1a 也配備了 LSI 部門代工的 5nm 主控。
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