東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器…
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開始支持批量出貨。
三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比，可將器件體積銳減80%以上，并提升設(shè)備功率密度。
此外，TOLL封裝還具有比通孔封裝更小的寄生阻抗，從而降低開關(guān)損耗。作為一款4引腳封裝，支持對其柵極驅(qū)動的信號源端子進(jìn)行開爾文連接。這減少封裝內(nèi)部源極線電感的影響，實現(xiàn)高速開關(guān)性能；在TW048U65C的外殼中，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品]相比，其開通損耗降低約55%，關(guān)斷損耗降低約25%，有助于降低設(shè)備功耗。
未來東芝將繼續(xù)擴大其SiC功率器件產(chǎn)品線，為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻(xiàn)。
應(yīng)用：
-服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等中的開關(guān)電源
-電動汽車充電站
-光伏逆變器
-不間斷電源
特性：
-表面貼裝TOLL封裝，實現(xiàn)設(shè)備小型化和自動化組裝，低開關(guān)損耗
-東芝第3代SiC MOSFET
·通過優(yōu)化漂移電阻與溝道電阻比，實現(xiàn)漏源導(dǎo)通電阻的良好溫度依賴性
·低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷
·低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
更多新聞資訊歡迎訪問 hsagingcenter.org.cn 。
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
最新資訊
