最新資訊明佳達(dá)電子全新原裝供應(yīng)NOR閃存 S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR 存儲(chǔ)器 IC 2Gb 并聯(lián) 110 ns 64-FBGAS70GL02GS 2-Gb MIRRORBIT? 閃存器件采用 65 納米 MIRRORBIT? 工藝技術(shù)制造。該器件的快速頁面訪問時(shí)間為 25 ns，相應(yīng)的隨機(jī)訪問時(shí)間為 110 ns。它具有一個(gè)寫緩沖器，允…
明佳達(dá)電子全新原裝供應(yīng)NOR閃存 S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR 存儲(chǔ)器 IC 2Gb 并聯(lián) 110 ns 64-FBGA
S70GL02GS 2-Gb MIRRORBIT? 閃存器件采用 65 納米 MIRRORBIT? 工藝技術(shù)制造。該器件的快速頁面訪問時(shí)間為 25 ns，相應(yīng)的隨機(jī)訪問時(shí)間為 110 ns。它具有一個(gè)寫緩沖器，允許在一次操作中最多編程 256 個(gè)字/512 個(gè)字節(jié)
參數(shù)：S70GL02GS11FHI010
密度： 2048 MBit
系列： GL-S
初始訪問時(shí)間： 110 ns
接口頻率（SDR/DDR）（MHz）： NA
接口： 并行
引線球表面處理： 錫/銀/銅
最低和最高工作溫度： -40 °C 85 °C
最低和最高工作電壓： 3 V 2.7 V 3.6 V
頁面訪問時(shí)間： 20 ns
峰值回流焊溫度： 260 °C
認(rèn)證： 工業(yè)級
與眾不同的特性：
? 具有多功能 I/O? 的 3.0 V CMOS 內(nèi)核
? 單個(gè) 64 球強(qiáng)化 BGA 封裝中包含兩個(gè) 1024 兆位 (S29GL01GS)
? 65 納米 MIRRORBIT? 工藝技術(shù)
? 用于讀取/編程/擦除的單電源（VCC）（2.7 V 至 3.6 V）
? 多功能 I/O 功能
? 寬 I/O 電壓 (VIO)： 1.65 V 至 VCC
- ×16 數(shù)據(jù)總線
? 16 字/32 字節(jié)頁面讀取緩沖區(qū)
? 512 字節(jié)編程緩沖區(qū)
- 以頁面倍數(shù)編程，最大可達(dá) 512 字節(jié)
? 扇區(qū)擦除
- 統(tǒng)一 128-KB 扇區(qū)
- S70GL02GS: 248 個(gè)扇區(qū)
? 用于編程和擦除操作的暫停和恢復(fù)命令
? 狀態(tài)寄存器、數(shù)據(jù)輪詢和就緒/忙引腳方法可確定設(shè)備狀態(tài)
? 高級扇區(qū)保護(hù) (ASP)
- 每個(gè)扇區(qū)的易失性和非易失性保護(hù)方法
? 獨(dú)立的 1024 位一次性編程 (OTP) 陣列，有兩個(gè)可鎖定區(qū)域
- 每個(gè)設(shè)備都有 支持通用閃存接口 (CFI)
? WP# 輸入
- 保護(hù)每個(gè)設(shè)備的第一個(gè)或最后一個(gè)扇區(qū)，或第一個(gè)和最后一個(gè)扇區(qū)，與扇區(qū)保護(hù)設(shè)置無關(guān)
? 溫度范圍
- 工業(yè)溫度范圍（-40°C 至 +85°C）
? 每個(gè)扇區(qū)典型擦除次數(shù)為 100,000 次
? 典型數(shù)據(jù)保存期為 20 年
? 封裝選項(xiàng)
- 64 球 LSH 加固 BGA，13 毫米 ? 11 毫米
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