最新資訊深圳明佳達(dá)電子公司全新原裝出售英飛凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H、IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4封裝的1200V CoolSiC，聯(lián)系qq：1668527835，電話：13410018555，郵箱：chen13410018555@163.com，公司首頁(yè)：hsagingcenter.org.cn
深圳明佳達(dá)電子公司全新原裝出售英飛凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4封裝的1200V CoolSiC
供應(yīng)型號(hào)：IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1
批號(hào)：21+
描述：通孔 N 通道 1200 V 19A（Tc） 94W（Tc） PG-TO247-4-1
規(guī)格
系列 CoolSiC?
包裝 管件
FET 類型 N 通道
技術(shù) SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss） 1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 19A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 182 毫歐 @ 6A，18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 13 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +23V，-7V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 454 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 94W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-4-1
封裝/外殼 TO-247-4
特征描述
一流的開關(guān)和導(dǎo)通損耗
基準(zhǔn)高閾值電壓，Vth > 4 V
0V關(guān)斷柵極電壓，簡(jiǎn)單輕松地進(jìn)行柵極驅(qū)動(dòng)
柵源電壓范圍寬
損耗低且牢固的體二極管，可用于硬換向
開關(guān)關(guān)斷損耗不受溫度影響
驅(qū)動(dòng)源引腳，優(yōu)化開關(guān)性能
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源（UPS）
電動(dòng)汽車快速充電
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
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時(shí)間：2025-05-07
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