深圳市明佳達電子有限公司全新原裝出售意法半導(dǎo)體高性能MCU STM32H750IBK6 基于高性能Arm Cortex-M7 32位RISC內(nèi)核，工作頻率高達400MHz。STM32H750IBK6器件說明：該MCU采用高速嵌入式存儲器，具有高達2MB的雙區(qū)閃存、1 MB的RAM（包括192 KB的TCM RAM、864KB的用戶SRAM以及…
深圳市明佳達電子有限公司全新原裝出售意法半導(dǎo)體高性能MCU STM32H750IBK6 基于高性能Arm? Cortex?-M7 32位RISC內(nèi)核，工作頻率高達400MHz。
STM32H750IBK6器件說明：
該MCU采用高速嵌入式存儲器，具有高達2MB的雙區(qū)閃存、1 MB的RAM（包括192 KB的TCM RAM、864KB的用戶SRAM以及4KB的備份SRAM）。另外，該器件還具有各種連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣的增強型I/O和外設(shè)，以及支持內(nèi)部和外部存儲器訪問的多層AXI互連。
該器件設(shè)有三個ADC、兩個DAC、兩個超低功耗比較器、一個低功耗RTC、一個高分辨率定時器、12個通用16位定時器、兩個用于電機控制的PWM定時器、五個低功耗定時器和一個真隨機數(shù)發(fā)生器 (RNG)。該器件支持四個用于外部Σ-Δ調(diào)制器 (DFSDM) 的數(shù)字濾波器，并設(shè)有標準和高級通信接口。
特性
核心
具有雙精度FPU和L1高速緩存的32位 Arm? Cortex?-M7內(nèi)核：16KB數(shù)據(jù)和16KB指令高速緩存，
支持從256位嵌入式閃存單次訪問一條高速緩存線；頻率高達400MHz，MPU、856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 和DSP指令
存儲器
高達2Mbyte閃存，具有同時讀寫能力
1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM，用于存儲時間敏感的關(guān)鍵程序或數(shù)據(jù)）、864KB的用戶SRAM，以及4KB備份域SRAM
雙模Quad-SPI存儲器接口，運行頻率高達133MHz
具有高達32位數(shù)據(jù)總線的靈活外部存儲器控制器：在同步模式下，SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND閃存的時鐘頻率高達133MHz
CRC計算單元
安全性
ROP、PC-ROP、主動篡改
通用輸入/輸出
多達168個具有中斷能力的I/O端口
運行速率高達133MHz的快速I/O
多達164個5V容差I(lǐng)/O
復(fù)位和電源管理
3個獨立的電源域，可以獨立地進行時鐘門控或關(guān)閉，以最大限度地提高電源效率：
D1：可實現(xiàn)高帶寬的高性能外設(shè)
D2：通信外設(shè)和計時器
D3：復(fù)位/時鐘控制/電源管理
1.62V至3.6V應(yīng)用電源和I/O
POR、PDR、PVD和BOR
嵌入3.3V內(nèi)部穩(wěn)壓器的專用USB電源，可為內(nèi)部PHY供電
具有可配置的可擴展輸出的嵌入式穩(wěn)壓器 (LDO)，可為數(shù)字電路供電
在運行和停止模式下進行電壓調(diào)節(jié)（5個可配置范圍）
備份穩(wěn)壓器 (~0.9V)
模擬外設(shè)的參考電壓/VREF+
低功耗模式：睡眠、停止、待機以及VBAT支持電池充電
低功耗
總電流消耗低至4μA
時鐘管理
內(nèi)部振蕩器：64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI
外部振蕩器：4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE
3個帶分數(shù)模式的PLL（1個用于系統(tǒng)時鐘，2個用于內(nèi)核時鐘）
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