5月8日消息，集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出其新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場提供更高能效解決方案。與AOS上…
5月8日消息，集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出其新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時，其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）顯著提升高達(dá)30%。新品在強化性能的同時，確保了卓越的可靠性。Gen3 MOSFET不僅通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，更具備更長的使用壽命和高濕高壓反偏（HV-H3TRB）耐受能力。
隨著電動汽車 (EV)、人工智能數(shù)據(jù)中心和可再生能源系統(tǒng)對電力需求的激增，電源轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)的能效損耗將大幅加重供電與散熱系統(tǒng)負(fù)擔(dān)。在電動汽車應(yīng)用領(lǐng)域，AOS第三代αSiC MOSFET可助力工程師打造更高功率密度與能效的系統(tǒng)架構(gòu)，有效降低電池能耗并延長續(xù)航里程。對于采用800V或±400V高壓直流架構(gòu)的下一代AI數(shù)據(jù)中心，該產(chǎn)品系列通過降低損耗與提升功率密度，能夠滿足持續(xù)增長的電力需求。AOS第三代1200V器件將成為支撐這些高系統(tǒng)電壓新拓?fù)浼軜?gòu)的關(guān)鍵元件，為行業(yè)提供不可或缺的高效解決方案。
AOS全新第三代1200V MOSFET現(xiàn)產(chǎn)品采用TO27-4L封裝，提供15毫歐（AOM015V120X3Q）至40毫歐（AOM040V120X3Q）導(dǎo)通電阻（Rds(on)）選項。公司還計劃陸續(xù)推出采用表面貼片封裝、頂部散熱封裝及模塊封裝的同系列產(chǎn)品。針對大功率電動汽車牽引逆變器模塊應(yīng)用，AOS已完成第三代1200V/11毫歐大尺寸晶圓的認(rèn)證工作，現(xiàn)開放晶圓銷售。
"電動汽車與AI技術(shù)正在重塑產(chǎn)業(yè)格局，但這對電力系統(tǒng)提出了更高要求——必須在能源需求激增時仍保持高效運行，"AOS寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品副總裁David Sheridan表示，"我們很高興新一代αSiC MOSFET在滿足客戶性能需求的同時，還能為環(huán)境保護(hù)作出積極貢獻(xiàn)。"
技術(shù)亮點：
符合汽車級AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
柵極驅(qū)動電壓兼容性廣（+15V至+18V）
開關(guān)頻率提升高達(dá)30%
符合擴(kuò)展的HV-H3TRB標(biāo)準(zhǔn)
增強的UIS和短路保護(hù)能力
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