最新資訊產(chǎn)品說明IRFH5215TRPBF是一款由Infineon生產(chǎn)的MOSFET器件，采用PQFN 5x6封裝，屬于N溝道功率MOSFET。Infineon 的 StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對(duì)低 RDS（on）和高電流能力進(jìn)行了優(yōu)化。這些器件非常適合需要高性能和耐用性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合適用于廣泛的應(yīng)用…
產(chǎn)品說明
IRFH5215TRPBF是一款由Infineon生產(chǎn)的MOSFET器件，采用PQFN 5x6封裝，屬于N溝道功率MOSFET。Infineon 的 StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對(duì)低 RDS（on）和高電流能力進(jìn)行了優(yōu)化。這些器件非常適合需要高性能和耐用性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合適用于廣泛的應(yīng)用，包括直流電機(jī)、電池管理系統(tǒng)、逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品規(guī)格
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：5A（Ta），27A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：58 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1350 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），104W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：PQFN（5x6）
封裝/外殼：8-VQFN 祼焊盤
基本產(chǎn)品編號(hào)：IRFH5215
應(yīng)用領(lǐng)域
IRFH5215TRPBF器件適用于多種應(yīng)用場景，包括但不限于：
直流電機(jī)?：由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力，適用于高效率的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
電池管理系統(tǒng)?：用于電池充放電控制，提供穩(wěn)定的電流輸出。
逆變器?：在逆變器中提供高效率的開關(guān)功能。
DC-DC轉(zhuǎn)換器?：在電源管理系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。
時(shí)間：2025-05-12
時(shí)間：2025-05-12
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時(shí)間：2025-05-12
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