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深圳市明佳達(dá)電子有限公司 收購(gòu) ON 碳化硅產(chǎn)品：SiC 二極管、SiC MOSFET、SiC 模塊

深圳市明佳達(dá)電子有限公司是一家經(jīng)驗(yàn)豐富 ，有著強(qiáng)大團(tuán)隊(duì)的電子元器件回收商，高價(jià)回收IC、5G、新能源、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、車規(guī)級(jí)、基站、通信、人工智能、射頻、家電、晶閘管、醫(yī)療、工業(yè)、藍(lán)牙5.0、以太網(wǎng)、傳感器、光模塊、DC/DC、WiFi、LPWA、GNSS、IGBT等產(chǎn)品。

回收具體流程：

1.您將積壓的IC/模組庫(kù)存進(jìn)行簡(jiǎn)單分類，確定型號(hào)、品牌、生產(chǎn)日期、數(shù)量等.

2.請(qǐng)將庫(kù)存清單通過(guò)傳真或郵件方式發(fā)送到我們?cè)u(píng)估團(tuán)隊(duì).

3.等待公司專業(yè)人士的采購(gòu)報(bào)價(jià)，達(dá)成協(xié)議后雙方商談具體交易方式進(jìn)行交付.

4.公司只回收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，不接受不是正規(guī)渠道貨源.

碳化硅 (SiC) 二極管

碳化硅二極管采用全新技術(shù)，與硅相比，開(kāi)關(guān)性能更優(yōu)越，可靠性更高。

碳化硅二極管是一種開(kāi)關(guān)性能更高的二極管。它們具有更高的功率密度和更高的總體效率。減少能量損耗也有助于降低系統(tǒng)成本。

與硅二極管相比，碳化硅二極管效率更高，耐高溫。它們可在高頻率和更高電壓下工作。由于碳化硅二極管的恢復(fù)時(shí)間比硅二極管更快，因此非常適合任何需要從阻塞級(jí)快速過(guò)渡到導(dǎo)電級(jí)的電流。它們也不會(huì)像硅二極管那樣發(fā)熱，因此可用于溫度更高的應(yīng)用，效率更高。

碳化硅（SiC）MOSFET

碳化硅 MOSFET 設(shè)計(jì)快速、堅(jiān)固耐用，具有高效率、減小系統(tǒng)尺寸和降低成本等系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)。

MOSFET 是具有絕緣柵極的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。與硅 MOSFET 相比，這些碳化硅 MOSFET 具有更高的阻塞電壓和更高的熱導(dǎo)率，盡管其設(shè)計(jì)元素相似。碳化硅功率器件的狀態(tài)電阻也更低，擊穿強(qiáng)度是普通硅的 10 倍。一般來(lái)說(shuō)，與使用硅材料制造的 MOSFET 相比，使用碳化硅 MOSFET 的系統(tǒng)具有更高的性能和效率。

與硅 MOSFET 相比，選擇 SiC MOSFET 有許多優(yōu)勢(shì)，例如開(kāi)關(guān)頻率更高。使用碳化硅 MOSFET 模塊也無(wú)需擔(dān)心高溫開(kāi)發(fā)問(wèn)題，因?yàn)檫@些器件即使在高溫下也能高效運(yùn)行。此外，使用 SiC MOSFET 時(shí)，由于所有元件（電感器、濾波器等）的尺寸都更小，因此產(chǎn)品尺寸也更緊湊。

碳化硅 (SiC) 模塊

SiC 模塊包含 SiC MOSFET 和 SiC 二極管。升壓模塊用于太陽(yáng)能逆變器的 DC-DC 階段。這些模塊使用 SiC MOSFET 和 SiC 二極管，額定電壓為 1200V。

碳化硅（SiC）模塊是一種使用碳化硅半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)的功率模塊。碳化硅功率模塊的目的是通過(guò)開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換電力，以提高系統(tǒng)效率。

碳化硅模塊的主要功能是轉(zhuǎn)換電力。碳化硅比硅更有優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樘蓟杵骷h(yuǎn)離源的阻力更?。ㄒ?yàn)樾矢撸?，因此可以在更高的開(kāi)關(guān)頻率下工作。此外，基于碳化硅的系統(tǒng)也比硅解決方案更緊湊、更輕便，從而可以實(shí)現(xiàn)更小的設(shè)計(jì)。因此，SiC 器件是提高效率和改善熱管理的理想解決方案。