深圳市明佳達(dá)電子公司推出進(jìn)口原裝ISSI 4GBit DDR3 SDRAM IS46TR16256BL-125KBLA1 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，有意者請咨詢陳先生：QQ1668527835，電話13410018555，郵箱chen13410018555@163.com！
深圳市明佳達(dá)電子公司推出進(jìn)口原裝ISSI 4GBit DDR3 SDRAM IS46TR16256BL-125KBLA1 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
產(chǎn)品型號：IS46TR16256BL-125KBLA1
描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
批次：新23+
詳細(xì)描述：SDRAM - DDR3L 存儲器 IC 4Gb 并聯(lián) 800 MHz 20 ns 96-TWBGA（9x13）
特征
標(biāo)準(zhǔn)電壓： VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
低電壓（L）： VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - 向后兼容至1.5V
高速數(shù)據(jù)傳輸率，系統(tǒng)頻率高達(dá)1066 MHz
8個內(nèi)部庫，可同時運(yùn)行
8n-位預(yù)取結(jié)構(gòu)
可編程的CAS延時
可編程的加法延時：0，CL-1,CL-2
基于tCK的可編程CAS WRITE延遲(CWL)
可編程突發(fā)長度：4和8
可編程的突發(fā)序列： 順序或交錯
可即時切換BL
自動自刷新(ASR)
自我刷新溫度(SRT)
部分陣列自刷新
異步RESET引腳
支持TDQS(終止數(shù)據(jù)選通)(僅X8)
OCD(片外驅(qū)動器阻抗調(diào)整)
動態(tài)ODT(片上終端)
驅(qū)動器強(qiáng)度：RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
寫入均衡
在DLL關(guān)閉模式下，最高可達(dá)200MHz
應(yīng)用
汽車
信息娛樂系統(tǒng)
遠(yuǎn)程信息處理
駕駛員信息系統(tǒng)
工業(yè)領(lǐng)域
人機(jī)界面
嵌入式計算
電信/網(wǎng)絡(luò)
接入節(jié)點(diǎn)(PON OLT, DSLAM, CMTS, 無線)
匯聚節(jié)點(diǎn)
交換機(jī)和路由器
分組光傳輸
網(wǎng)絡(luò)存儲
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