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意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱(chēng)改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率12.6%; 凈利潤(rùn)10.32億美元。
2021年12月，意法半導(dǎo)體現(xiàn)推出第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管，推進(jìn)在電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)功率設(shè)備等方面的應(yīng)用。
產(chǎn)品圖片
規(guī)格型號(hào)
品牌
參數(shù)描述
起訂量
庫(kù)存
購(gòu)買(mǎi)數(shù)量
單價(jià)
操作
產(chǎn)品編號(hào)：IGBT 模塊溝槽式現(xiàn)場(chǎng)停止三相逆變器 650 V 50 A 208 W 底座安裝
封裝:Module
產(chǎn)品編號(hào)：IGBT 模塊 溝槽現(xiàn)場(chǎng)停止三相逆變器，帶制動(dòng)器 1200 V 25 A 197 W 底座安裝
封裝:Module
產(chǎn)品編號(hào)：IGBT 模塊 溝槽式現(xiàn)場(chǎng)停止三相逆變器 650 V 50 A 208 W 底座安裝
封裝:Module產(chǎn)品編號(hào)：IGBT 模塊，溝槽式現(xiàn)場(chǎng)停止三相逆變器，帶制動(dòng)器 1200 V 35 A 250 W 底座安裝
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