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【IPW60R018CFD7】600V，CoolMOS? CFD7 SJ 功率 MOSFET 晶體管，PG-TO247-3

IPW60R018CFD7 規(guī)格參數(shù)：

系列：CoolMOS? CFD7

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：101A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 58.2A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 2.91mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：251 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9901 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：416W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-3

封裝/外殼：TO-247-3

IPW60R018CFD7 產(chǎn)品特性：

CoolMOS ? 7 系列

低柵極電荷

低存儲能量 COSS

低 Qrr

軟開關效率高

MOSFET 適合硬諧振拓撲

相關信息：

600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET 采用了英飛凌的高壓超結 MOSFET 技術，集成了快速體二極管，是CoolMOS? 7系列的新一代產(chǎn)品。CoolMOS ? CFD7 具有降低的柵極電荷 (Qg) 和改善的關斷行為，與競爭產(chǎn)品相比，反向恢復電荷 (Qrr) 降低了 69%，并且具有市場上最低的反向恢復時間 (trr)。

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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