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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:AIKB50N65DH5ATMA1

商品名稱:AIKB50N65DH5ATMA1

數(shù)據(jù)手冊:AIKB50N65DH5ATMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-263-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
AIKB50N65DH5ATMA1
封裝
TO-263-3
描述
IGBT NPT 650 V 50 A 表面貼裝型 PG-TO263-3-2

產(chǎn)品描述

Infineon TRENCHSTOP? 5 F5分立式IGBT針對開關(guān)>60kHz進行了優(yōu)化,以提供最佳效率,彌補MOSFET和IGBT之間的差距。與目前領(lǐng)先解決方案相比,F(xiàn)5系列顯著降低了開關(guān)損耗。目標拓撲為不間斷電源 (UPS)、逆變焊機和開關(guān)電源 (SMPS) 等應(yīng)用中常見的升壓級、PFC(交流-直流)級和高壓直流-直流拓撲。650V TRENCHSTOP? 5 F5 IGBT與碳化硅二極管共同針對低電感設(shè)計,提供的效率比650V TRENCHSTOP? 5 H5系列高出1%。F5產(chǎn)品需要的設(shè)計工作更多,但回報也更高。


AIKB50N65DH5ATMA1 器件屬性:

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-263-3

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.6 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 80 A

Pd-功率耗散: 305 W

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: Trenchstop IGBT5 F5

商標名: TRENCHSTOP


應(yīng)用

板外充電器

板載充電器

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功率因數(shù)校正

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常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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