商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TO247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:24000 件
IPW65R110CFD是 N溝道功率MOSFET,屬于 CoolMOS? CFD2系列,采用 TO-247-3封裝,適用于 高壓、高電流開關(guān)應(yīng)用。該器件具有 650V漏源電壓(V<sub>DS</sub>) 和 31.2A連續(xù)漏極電流(I<sub>D</sub>),并采用 先進(jìn)的硅基MOSFET技術(shù),提供 低導(dǎo)通電阻(R<sub>DS(on)</sub> = 99mΩ) 和 快速開關(guān)特性,適用于 工業(yè)電源、太陽能逆變器、電動汽車充電樁等高效能應(yīng)用。
IPW65R110CFD 特性
采用集成快速體二極管的 650V 技術(shù)
硬換向期間電壓過沖有限
與 600V CFD 技術(shù)相比,Qg 顯著降低
更大的 RDS(on) 最大值到 RDS(on) 典型值窗口
易于設(shè)計(jì)
價格低于 600V CFD 技術(shù)
IPW65R110CFD 優(yōu)勢
由于體二極管重復(fù)換向時的 Qrr 較低,因此開關(guān)損耗較低
自限制 di/dt 和 dv/dt
低 Qoss
縮短接通和斷開延遲時間
出色的 CoolMOS? 質(zhì)量
IPW65R110CFD 潛在應(yīng)用
電信
服務(wù)器
太陽能
HID 燈鎮(zhèn)流器
LED 照明
電子移動
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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