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SCT040W65G3-4是一款碳化硅功率MOSFET，具有650V的漏源極擊穿電壓、30A的連續(xù)漏極電流和45mOhm的典型導(dǎo)通電阻，采用HiP247-4封裝??。

SCT040W65G3-4采用ST的先進(jìn)第三代SiC MOSFET技術(shù)，具有在整個(gè)溫度范圍內(nèi)非常低的RDS(on)，結(jié)合低電容和非常高的開關(guān)操作頻率，能夠改善應(yīng)用性能，提高頻率、能源效率、系統(tǒng)尺寸和重量減少?。

此外，SCT040W65G3-4具有非常快速和穩(wěn)健的內(nèi)置體二極管，能夠在高達(dá)200°C的結(jié)溫下工作，并且具有源感應(yīng)引腳以提高效率?。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品：SCT040W65G3-4

封裝 / 箱體:：HiP247-4

晶體管極性:：N-Channel

通道數(shù)量:：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:：650 V

Id-連續(xù)漏極電流:：30 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:：63 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:：3 V

Qg-柵極電荷:：37.5 nC

最小工作溫度:：- 55 C

最大工作溫度:：+ 200 C

Pd-功率耗散:：240 W

通道模式:：Enhancement

配置:：Single

下降時(shí)間:：19 ns

封裝:：Tube

產(chǎn)品:：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型:：SiC MOSFETS

上升時(shí)間:：7.4 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:：29.6 ns

典型接通延遲時(shí)間:：13 ns

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

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