商品名稱:SCT055HU65G3AG
數(shù)據(jù)手冊:SCT055HU65G3AG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:HU3PAK
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCT055HU65G3AG 650V 30A 汽車級碳化硅功率MOSFET采用 ST先進(jìn)的創(chuàng)新第二/第三代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。該器件具有低單位面積導(dǎo)通電阻和良好的 開關(guān)性能。應(yīng)用包括主逆變器(電力牽引)、用于EV/HEV的DC/DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器(OBC)。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):72 毫歐 @ 15A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.2V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):29 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):721 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):185W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:HU3PAK
封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
基本產(chǎn)品編號:SCT055
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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