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SCTWA35N65G2V 650V 碳化硅功率MOSFET采用HiP247封裝，具有67m?（典型值）和45A（額定值）特性。該器件將寬禁帶材料的先進性和可靠性引入到更廣泛的節(jié)能應用中，如用于電動/混合動力汽車、太陽能或風力發(fā)電、高效驅動器、電源和智能電網(wǎng)設備的逆變器。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：45A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：67毫歐 @ 20A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：73 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+20V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：73000 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：208W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247 長引線

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號：SCTWA35

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