商品名稱:NCP160AMX280TBG
數(shù)據(jù)手冊:NCP160AMX280TBG.PDF
品牌:ON
年份:1814+
封裝:4XDFN
貨期:原裝現(xiàn)貨
庫存數(shù)量:12000 件
NCP160是一個線性穩(wěn)壓器,能夠提供250mA的 輸出電流。設(shè)計用于滿足射頻和模擬電路的要求。NCP160器件可提供低噪聲、高PSRR、低靜態(tài)電流和非常好的負載/線路瞬態(tài)。低靜態(tài)電流,以及非常好的負載/線路瞬態(tài)。該器件是 該器件被設(shè)計為與一個1 F的輸入和一個1 F的輸出陶瓷電容一起工作。電容器。它有兩種厚度的超小型0.35P、0.64 mm x 0.64毫米的片式封裝(CSP)和XDFN-4 0.65P,1毫米x 1毫米。
特征
? 工作輸入電壓范圍:1.9 V 至 5.5 V
? 提供固定電壓選項:1.8 V 至 5.14 V
? 負載/溫度下的±2%精度
? 超低靜態(tài)電流典型值18 A
? 待機電流:典型值0.1 A
? 極低的壓差:250 mA 時為80 mV
? 超高的PSRR:典型值98 dB,20 mA,f = 1 kHz
? 超低噪音:10 VRMS
? 穩(wěn)定的1F小外殼尺寸陶瓷電容
? 可用于 -WLCSP4 0.64 mm x 0.64 mm x 0.4 mm
- WLCSP4 0.64 mm x 0.64 mm x 0.33 mm
- XDFN4 1 mm x 1 mm x 0.4 mm
? 這些器件是無鉛的,符合RoHS標準。
典型應(yīng)用
? 電池供電的設(shè)備
? 無線局域網(wǎng)設(shè)備
? 智能手機、平板電腦
? 照相機、DVR、機頂盒和攝像機
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預(yù)驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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