FF5MR20KM1HP 是 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊 2000 V、3.5 mΩ G1,采用眾所周知的 62mm 外殼設(shè)計和 M1H 芯片技術(shù)。還提供預(yù)涂熱界面材料(TIM)。
FF5MR20KM1HP 的特點
高電流密度
開關(guān)損耗低
出色的柵極氧化可靠性
堅固的集成體二極管
高宇宙射線魯棒性
高速開關(guān)模塊
對稱模塊設(shè)計
標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)技術(shù)
FF5MR20KM1HP 的優(yōu)點
最大限度地減少冷卻工作
減少體積和尺寸
降低系統(tǒng)成本
提高芯片性能
FF5MR20KM1HP 的應(yīng)用
AC-DC 輔助電源
儲能系統(tǒng)
光伏系統(tǒng)
固態(tài)斷路器
牽引
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應(yīng)用進行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機驅(qū)動器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級結(jié)(SJ)原理設(shè)計的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級通用性,可實現(xiàn)快速設(shè)計導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進的芯片連接技術(shù),可簡化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且…電話咨詢:86-755-83294757
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