GD450HFX170C6SA(C6.1 封裝)- 1700V/450A 半橋 IGBT 模塊
型號:GD450HFX170C6SA
封裝:C6.1
額定電流:450A
芯片類型:Trench-FS Gen1
額定電壓:1700V
電路結構:Half Bridge/半橋
特征:平板基板
導通壓降VCE(sat) Tvj=25℃ typ: 1.85V
描述:STARPOWER IGBT 功率模塊具有超低傳導損耗和短路耐用性。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。
GD450HFX170C6SA - 產(chǎn)品特性:
低 VCE(飽和)溝槽式 IGBT 技術
10μs 短路能力
正溫度系數(shù) VCE(sat)
最高結溫 175℃
低電感外殼
快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWD
采用 DBC 技術的隔離銅基板
GD450HFX170C6SA - 等效電路示意圖:
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月,專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務,是目前國內(nèi)功率半導體器件領域的領軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興,在上海、重慶、浙江和歐洲均設有子公司,并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
ID10FFX60U5SS - 600V,10A 緊湊型 - IPM 模塊,采用最新的溝槽式 IGBT 技術,實現(xiàn)了良好的總體損耗權衡。型號:ID10FFX60U5SS(緊湊型 - IPM 模塊)封裝:U5額定電壓:600V額定電流:10A芯片類型:Trench-FS Gen1電路結構:Sixpack/六單元ID10FFX60U5SS - 引腳配置:ID1…ID05FFX60U5SS
ID05FFX60U5SS - 600V,5A 緊湊型 - IPM 模塊,U5封裝型號:ID05FFX60U5SS(緊湊型 - IPM 模塊)封裝:U5額定電流:5A芯片類型:Trench-FS Gen1額定電壓:600V電路結構:Sixpack/六單元ID05FFX60U5SS - 產(chǎn)品特點:通過 UL 1557 認證。采用最新的溝槽式 IGBT 技術,實現(xiàn)了…DG75H12T2
DG75H12T2 是 IGBT 功率分立器件,具有超低的傳導損耗和開關損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。DG75H12T2 的特點低 VCE(飽和)溝槽式 IGBT 技術開關損耗低最高結溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG75H12T2 的典型應用太陽能電子焊機不…DG50H12T2
DG50H12T2 是 IGBT 功率分立器件,具有超低的傳導損耗和開關損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。DG50H12T2 的特點低 VCE(飽和)溝槽式 IGBT 技術開關損耗低最高結溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG50H12T2 的典型應用用于電機驅(qū)動的逆…DG40H12T2
DG40H12T2 是 IGBT 功率分立器件,具有超低的傳導損耗和開關損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。DG40H12T2 的特點低 VCE(飽和)溝槽式 IGBT 技術開關損耗低最高結溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG40H12T2 的典型應用太陽能電子焊機不…ID50FFX60U3S
ID50FFX60U3S - 600V,50A 緊湊型 - IPM 模塊,U3封裝ID50FFX60U3S- 產(chǎn)品規(guī)格:型號:ID50FFX60U3S(緊湊型 - IPM 模塊)封裝:U3額定電壓:600V額定電流:50A導通壓降 VCE(sat) Tvj=25℃ typ:1.70V芯片類型:Trench-FS Gen1電路結構:Sixpack/六單元ID50FFX60U3S - 產(chǎn)品…電話咨詢:86-755-83294757
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