商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
C3M0016120K1是設(shè)計(jì)符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的1200 V, 16 mΩ 碳化硅功率MOSFET,具有高速開(kāi)關(guān)特性,電容低,阻斷電壓高,導(dǎo)通電阻低。Wolfspeed 1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列針對(duì)高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,如UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)模式電源、太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器等。
C3M0016120K1的規(guī)格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:13 ns
Id-連續(xù)漏極電流:115 A
最大工作溫度:+ 175°C
最小工作溫度:- 40°C
安裝風(fēng)格:Through Hole
通道數(shù)量:1 Channel
封裝 / 箱體:TO-247-4
Pd-功率耗散:556 W
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷:211 nC
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:28.8 mOhms
上升時(shí)間:33 ns
工廠包裝數(shù)量:30
子類別:Transistors
技術(shù):SiC
晶體管極性:N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:65 ns
典型接通延遲時(shí)間:34 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 19 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來(lái)提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開(kāi)關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點(diǎn)更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無(wú)鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點(diǎn)第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點(diǎn)降低開(kāi)關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過(guò)汽車認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過(guò)汽車認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級(jí) HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用,如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時(shí)電流 -…電話咨詢:86-755-83294757
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