商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
C3M0065090D是基于第三代技術(shù)的900 V, 65 mΩ, 36 A 碳化硅功率 MOSFET,具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。包括:可再生能源逆變器、 電動汽車充電系統(tǒng)和三相工業(yè)電源。
C3M0065090D的規(guī)格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:25 ns
正向跨導 - 最小值:11.6 S
Id-連續(xù)漏極電流:36 A
最大工作溫度:+ 150°C
最小工作溫度:- 55°C
安裝風格:Through Hole
通道數(shù)量:1 Channel
封裝 / 箱體:TO-247-3
封裝:Tube
Pd-功率耗散:125 W
產(chǎn)品:Power MOSFETs
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷:30.4 nC
Rds On-漏源導通電阻:90 mOhms
上升時間:36 ns
工廠包裝數(shù)量:30
子類別:Transistors
技術(shù):SiC
晶體管極性:N-Channel
類型:Silicon Carbide MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間:28 ns
典型接通延遲時間:21 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:900 V
Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 18 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
單位重量:6 g
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應用,如感應加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時電流 -…電話咨詢:86-755-83294757
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