商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:ON
年份:24+
封裝:模具
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NTC040N120SC1 1200V EliteSiC(碳化硅)MOSFET與硅器件相比,具有出色的開關(guān)性能和高可靠性。 這些MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。
NTC040N120SC1的規(guī)格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:10.4 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:20 S
Id-連續(xù)漏極電流:60 A
最大工作溫度:+ 175°C
最小工作溫度:- 55°C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
通道數(shù)量:1 Channel
Pd-功率耗散:348 W
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷:106 nC
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:56 mOhms
上升時(shí)間:41 ns
系列:NTC040N120SC1
工廠包裝數(shù)量:1
子類別:Transistors
技術(shù):SiC
商標(biāo)名:EliteSiC
晶體管極性:N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:33 ns
典型接通延遲時(shí)間:18 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓:- 15 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4.3 V
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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