商品名稱:NOR 閃存
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:BGA-24
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S26HS01GTFPBHB023 是高速 CMOS、MIRRORBIT? NOR 閃存器件,兼容 JEDEC JESD251 擴展 SPI(xSPI)規(guī)范。SEMPER? 閃存專為功能安全而設(shè)計,其開發(fā)符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn),可實現(xiàn) ASIL-B 合規(guī)性和 ASIL-D 就緒性。帶有 HYPERBUS? 接口的 SEMPER? 閃存器件同時支持 HYPERBUS? 接口和傳統(tǒng) (x1) SPI。這兩種接口都能串行傳輸事務(wù),減少了接口連接信號的數(shù)量。SPI 支持 SDR,而 HYPERBUS? 支持 DDR。
S26HS01GTFPBHB023 - 主要特性:
英飛凌 45 納米 MIRRORBIT? 技術(shù),在每個存儲器陣列單元中存儲兩個數(shù)據(jù)位
256 或 512 字節(jié)的頁面編程緩沖區(qū)
1024 字節(jié)(32 × 32 字節(jié))的 OTP 安全硅區(qū)域 (SSR)
HYPERBUS? 接口
帶有 HYPERBUS? 接口的 SEMPER? 閃存支持傳統(tǒng) SPI (x1) 或 HYPERBUS? 接口 (x8) 默認(rèn)啟動
自動啟動功能可在上電后立即訪問內(nèi)存陣列
描述設(shè)備功能和特性的串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP)
設(shè)備標(biāo)識、制造商標(biāo)識和唯一標(biāo)識
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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