商品名稱:ARM 微控制器 - MCU
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TQFP-64
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
CY8C4148AZA-S555 - 基于 ARM? Cortex?-M0+ CPU 的 48MHz、32 位微控制器 IC
核心處理器 ARM? Cortex?-M0+
內(nèi)核規(guī)格 32-位
速度 48MHz
I/O 數(shù) 54
程序存儲容量 256KB(256K x 8)
程序存儲器類型 閃存
RAM 大小 32K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) 1.71V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 A/D 16x12b SAR
振蕩器類型 外部,內(nèi)部
工作溫度 -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 64-TQFP(10x10)
封裝/外殼 64-LQFP
產(chǎn)品描述:
CY8C4148AZA-S555 是基于 Arm? Cortex?-M0+ CPU 的 PSoC? Automotive 4100S Max 微控制器。PSoC? 4100S Max 器件廣泛支持硬件和固件的編程、測試、調(diào)試和跟蹤。PSoC? 4100S Max 器件有一個帶閃存加速器的閃存模塊,與 CPU 緊密耦合,以提高閃存塊的平均訪問時間。低功耗閃存塊的設(shè)計目標是以 48 MHz 的頻率提供兩個等待狀態(tài) (WS) 的訪問時間。閃存加速器的平均單周期 SRAM 訪問性能達到 85%。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標準的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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