商品名稱:ARM 微控制器 MCU
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:68-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
PSoC? 6 MCU 是一款高性能、超低功耗和安全的 MCU 平臺,專為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而設(shè)計。PSoC 64 產(chǎn)品線基于 PSoC 6 MCU 平臺,具有開箱即用的安全功能,可提供具有真正認(rèn)證和配置服務(wù)的隔離信任根。此外,它還提供了一個預(yù)配置的安全執(zhí)行環(huán)境,支持各種物聯(lián)網(wǎng)平臺的系統(tǒng)軟件,并實現(xiàn)了 TLS 身份驗證、安全存儲和安全固件管理。PSoC 64 還包括用于應(yīng)用程序開發(fā)的豐富執(zhí)行環(huán)境,支持與安全執(zhí)行環(huán)境通信的 RTOS。
CYB06445LQI-S3D42 是 32 位雙核 ARM Cortex-M0+、ARM Cortex-M4F PSoC? 6 微控制器 IC。
功能特點
兩個具有低功耗工作模式的運算放大器
始終接通的低頻深度睡眠操作
與 ADC 連接的內(nèi)置溫度傳感器
可編程驅(qū)動模式、強度和壓擺率
兩個過壓耐受 (OVT) 引腳
可動態(tài)使用自感和互感功能
自動硬件調(diào)整
在啟動過程中使用硬件散列進行驗證
可禁用所有調(diào)試和測試入口路徑
多達八個保護上下文
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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