商品名稱:ARM 微控制器 MCU
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:80-WLCSP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY8C6247FTI-D52T 基于 PSoC 6 MCU 平臺,是雙 CPU 微控制器與低功耗閃存技術(shù)、數(shù)字可編程邏輯、高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換以及標(biāo)準(zhǔn)通信和定時外設(shè)的結(jié)合。
技術(shù)規(guī)格
核心處理器:ARM? Cortex?-M0+、ARM? Cortex?-M4F
內(nèi)核大?。?2 位雙核
速度:100MHz、150MHz
連接:FIFO、I2C、LINbus、QSPI、SPI、UART/USART、USB
外設(shè):欠壓檢測/復(fù)位、CapSense、DMA、I2S、LCD、POR、PWM、溫度傳感器、WDT
I/O 數(shù)量:62
程序存儲器大?。?MB(1M x 8)
程序存儲器類型:FLASH
EEPROM 大?。?2K x 8
RAM 大?。?88K x 8
電壓 - 電源(Vcc/Vdd):1.71V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 16x12b SAR、10b Sigma-Delta;D/A 2x7/8b
振蕩器類型:外部,內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 85°C (TA)
功能
帶 64 字節(jié)內(nèi)存和實時時鐘的備份域
8 MHz 內(nèi)部主振蕩器 (IMO),精度為 ±2
超低功耗 32 kHz 內(nèi)部低速振蕩器 (ILO)
片上晶體振蕩器(16 至 35 MHz 和 32 kHz)
用于倍增時鐘頻率的鎖相環(huán) (PLL)
用于倍增 IMO 頻率的鎖相環(huán) (FLL)
從外部四路 SPI 閃存就地執(zhí)行 (XIP)
實時加密和解密
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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