商品名稱:ARM 微控制器 - MCU
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TQFP-64
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
CY8C4147AZA-S595 - 48MHz、ARM? Cortex?-M0+ PSOC? 4 CY8C4100S 32位微控制器 IC
一、描述 :
CY8C4147AZA-S595 是一款 ARM? Cortex?-M0+ PSOC? 4 CY8C4100S 32位微控制器 IC。提供 32 KB SRAM,以 48 MHz 的零等待狀態(tài)訪問。提供 8 KB 監(jiān)督 ROM,其中包含啟動和配置例程。PSoC? 4100S Max 采用 1.8 V ±5%(外部穩(wěn)壓)或 1.8 V 至 5.5 V(內(nèi)部穩(wěn)壓)的單一外部電源供電,具有三種不同的電源模式,電源模式之間的轉(zhuǎn)換由電源系統(tǒng)管理。
二、主要特點:
32 位 MCU 子系統(tǒng)
- 48MHz Arm? Cortex?-M0+ CPU
- 高達 384 KB 的閃存,帶讀取加速器
- 高達 32 KB 的 SRAM
- 16 通道 DMA 引擎
可編程模擬
- 兩個運算放大器,具有可重新配置的高驅(qū)動外部和高帶寬內(nèi)部驅(qū)動和比較器模式,以及 ADC 輸入緩沖功能。運算放大器可在深度睡眠低功耗模式下工作。
- 12 位 1-Msps SAR ADC,具有差分和單端模式,以及具有信號平均功能的通道定序器
- SAR ADC 內(nèi)置溫度傳感器
- 兩個低功耗比較器,可在深度睡眠低功耗模式下工作
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導通電阻符合標準的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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