商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IMWH170R450M1是一個(gè)采用TO247-3-HCC封裝的1700 V, 450 mΩ CoolSiC? MOSFET,適合連接到DC鏈路電壓600 V至1000 V的單端反激式輔助電源,以及各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。主要特性包括由反激式控制器直接驅(qū)動(dòng),不需要柵極驅(qū)動(dòng)器IC。XT互連技術(shù)可提供出色的熱性能,高爬電距離封裝可提高可靠性。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):SiC
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1.7 kV
Id-連續(xù)漏極電流:10 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:390 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.7 V
Qg-柵極電荷:11.7 nC
最小工作溫度:- 55°C
最大工作溫度:+ 175°C
Pd-功率耗散:111 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:CoolSiC
系列:1700V SiC
封裝:Tube
商標(biāo):Infineon Technologies
配置:Single
下降時(shí)間:23 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:0.9 S
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:12 ns
工廠包裝數(shù)量:240
子類別:MOSFETs
晶體管類型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:26 ns
典型接通延遲時(shí)間:21 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽(yáng)能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽(yáng)能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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