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UJ4SC075018B7S是一款 750V、18mW G4 SiC FET。它采用獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，將常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、SiC MOSFET 或硅超結(jié)器件。該器件采用 D2 PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。

規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（共源共柵 SiCJFET）  

漏源電壓（Vdss）： 750 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 72A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 23 毫歐 @ 50A，12V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 6V @ 10mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 37.8 nC @ 15 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1414 pF @ 400 V  

功率耗散（最大值） ：259W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： D2PAK-7  

封裝/外殼： TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA  

典型應用

車載充電器

軟開關(guān)DC-DC變換器

電池充電（直流快充和工業(yè)）

IT/服務器電源

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