商品名稱(chēng):N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:44520 件
ISC104N12LM6屬于英飛凌 OptiMOS? 6 功率 MOSFET 系列。這是一款邏輯級(jí) 120 V MOSFET,采用 SuperSO8 封裝,導(dǎo)通電阻為 10.4 mOhm。
ISC104N12LM6規(guī)格:
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V
Id-連續(xù)漏極電流: 63 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 10.4 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 94 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
配置: Single
下降時(shí)間: 4 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 30 S
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 2.5 ns
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 14 ns
典型接通延遲時(shí)間: 6 ns
特點(diǎn)
N 通道、對(duì)數(shù)電平
極低的開(kāi)電阻 RDS(on)
卓越的柵極充電 x RDS(導(dǎo)通)產(chǎn)品(FOM)
極低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)
高雪崩能級(jí)
175°C 工作溫度
優(yōu)化用于高頻開(kāi)關(guān)和同步校正
無(wú)鉛鍍層;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
根據(jù) J-STD-020 被歸為MSL1 級(jí)
潛在應(yīng)用
電動(dòng)工具和園藝工具
適配器和快速充電器
太陽(yáng)能
電信
輕型電動(dòng)汽車(chē)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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